ZXM62P02E6
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
ZXM62P02E6中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 200 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.7 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 2.30 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
引脚数 6
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ZXM62P02E6引脚图与封装图
暂无图片
在线购买ZXM62P02E6
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZXM62P02E6 | Vishay Semiconductor 威世 | DIODES INC. ZXM62P02E6 晶体管, MOSFET, P沟道, 2.3 A, -20 V, 200 mohm, 4.5 V, -700 mV | 搜索库存 |
替代型号ZXM62P02E6
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZXM62P02E6 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOT-26 P-Channel 20V 2.3A | 当前型号 | DIODES INC. ZXM62P02E6 晶体管, MOSFET, P沟道, 2.3 A, -20 V, 200 mohm, 4.5 V, -700 mV | 当前型号 |
| 型号： ZXM62P03E6 品牌： 威世 封装： SOT-26 P-Channel 20V 2.6A | 类似代替 | DIODES INC. ZXM62P03E6 晶体管, MOSFET, P沟道, 2.6 A, -30 V, 110 mohm, 10 V, -1 V | ZXM62P02E6和ZXM62P03E6的区别 |