ZXT13P12DE6
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
ZXT13P12DE6中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
极性 PNP
耗散功率 1.1 W
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 4A
直流电流增益hFE 500
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 6
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Industrial, Motor Drive & Control
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ZXT13P12DE6引脚图与封装图
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在线购买ZXT13P12DE6
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZXT13P12DE6 | Vishay Semiconductor 威世 | DIODES INC. ZXT13P12DE6 单晶体管 双极, PNP, 12 V, 55 MHz, 1.1 W, 4 A, 500 hFE | 搜索库存 |
替代型号ZXT13P12DE6
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZXT13P12DE6 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOT-26 PNP 1.1W | 当前型号 | DIODES INC. ZXT13P12DE6 单晶体管 双极, PNP, 12 V, 55 MHz, 1.1 W, 4 A, 500 hFE | 当前型号 |
| 型号： PBSS5420D,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-457 PNP 2500mW | 功能相似 | NXP PBSS5420D,115 单晶体管 双极, PNP, -20 V, 80 MHz, 1.1 W, -4 A, 400 hFE | ZXT13P12DE6和PBSS5420D,115的区别 |