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ZXMP6A18K
Vishay Semiconductor 威世 分立器件

DIODES INC.  ZXMP6A18K  晶体管, MOSFET, P沟道, 10.4 A, -60 V, 55 mohm, -10 V, -1 V

The is a -60V P-channel Enhancement Mode MOSFET that utilizes a unique structure and combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes the MOSFET ideal for high efficiency, low voltage and power management applications.

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Low on-resistance
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Fast switching speed
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Low threshold
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Low gate drive
ZXMP6A18K中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.055 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 4.3 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 10.4 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 电源管理, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

ZXMP6A18K引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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