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ZXM62N03E6TA

ZXM62N03E6TA

数据手册.pdf
Vishay Semiconductor 威世 分立器件
ZXM62N03E6TA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 3.20 A

漏源极电阻 150 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.1W Ta

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 3.20 A

上升时间 10.4 ns

输入电容Ciss 380pF @25VVds

额定功率Max 1.1 W

耗散功率Max 1.1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-23-6

外形尺寸

封装 SOT-23-6

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

ZXM62N03E6TA引脚图与封装图
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ZXM62N03E6TA Vishay Semiconductor 威世 Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 6Pin SOT-23 Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 6Pin SOT-23 Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 6Pin SOT-... 搜索库存