ZXM62N03E6TA
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
额定电压DC 30.0 V
额定电流 3.20 A
漏源极电阻 150 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.1W Ta
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.20 A
上升时间 10.4 ns
输入电容Ciss 380pF @25VVds
额定功率Max 1.1 W
耗散功率Max 1.1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-23-6
封装 SOT-23-6
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ZXM62N03E6TA | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 6Pin SOT-23 Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 6Pin SOT-23 Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 6Pin SOT-... | 搜索库存 |