ZVN2106G
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
ZVN2106G中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2.4 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 700 mA
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-223
外形尺寸
封装 SOT-223
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 电源管理, Automotive, Power Management, 车用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ZVN2106G引脚图与封装图
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在线购买ZVN2106G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZVN2106G | Vishay Semiconductor 威世 | DIODES INC. ZVN2106G 晶体管, MOSFET, N沟道, 700 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V | 搜索库存 |
替代型号ZVN2106G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZVN2106G 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOT-223 N-Channel 60V 700mA | 当前型号 | DIODES INC. ZVN2106G 晶体管, MOSFET, N沟道, 700 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V | 当前型号 |
| 型号： ZVN4206G 品牌： 威世 封装： SOT-223 N-Channel 60V 1A | 类似代替 | DIODES INC. ZVN4206G 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 60 V, 1.5 ohm, 10 V, 3 V | ZVN2106G和ZVN4206G的区别 |