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ZXMN2A02X8TC

ZXMN2A02X8TC

数据手册.pdf
Vishay Semiconductor 威世 分立器件
ZXMN2A02X8TC中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 40 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 1.1 W

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 7.8A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 1900pF @10VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1.1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 MSOP-8

外形尺寸

封装 MSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

ZXMN2A02X8TC引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
ZXMN2A02X8TC Vishay Semiconductor 威世 MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP 搜索库存
替代型号ZXMN2A02X8TC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ZXMN2A02X8TC

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: MSOP-8 N-CH 20V 7.8A

当前型号

MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

当前型号

型号: ZXMN2A02X8TA

品牌: 美台

封装: MSOP N-Channel 20V 7.8A 40mΩ

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