ZDX050N50
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
ZDX050N50中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 40 W
漏源极电压Vds 500 V
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 600pF @25VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ZDX050N50引脚图与封装图 
ZDX050N50引脚图
ZDX050N50封装图
ZDX050N50封装焊盘图
在线购买ZDX050N50
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZDX050N50 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3Pin3+Tab TO-220FM Bulk | 搜索库存 |
替代型号ZDX050N50
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZDX050N50 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TO-220-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3Pin3+Tab TO-220FM Bulk | 当前型号 |
| 型号： R5005CNX 品牌： 罗姆半导体 封装： TO-220-3 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3Pin3+Tab TO-220FM Bulk | ZDX050N50和R5005CNX的区别 |
| 型号： RJK5030DPP-M0-T2 品牌： 瑞萨电子 封装： | 功能相似 | 硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | ZDX050N50和RJK5030DPP-M0-T2的区别 |