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ZXMD63C03XTC

ZXMD63C03XTC

数据手册.pdf
Vishay Semiconductor 威世 分立器件
ZXMD63C03XTC中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

极性 N+P

耗散功率 870 mW

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 2.3A/2A

输入电容Ciss 290pF @25VVds

额定功率Max 1.04 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ZXMD63C03XTC引脚图与封装图
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ZXMD63C03XTC Vishay Semiconductor 威世 MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP 搜索库存