ZDT751TC
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Vishay Semiconductor
威世
分立器件
ZDT751TC中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 2.75 W
增益频宽积 140 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 2V
额定功率Max 2.75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-223-8
外形尺寸
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-223-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ZDT751TC引脚图与封装图
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在线购买ZDT751TC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZDT751TC | Vishay Semiconductor 威世 | Bipolar Transistors - BJT Dual 60V PNP | 搜索库存 |
替代型号ZDT751TC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZDT751TC 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOT-223-8 PNP | 当前型号 | Bipolar Transistors - BJT Dual 60V PNP | 当前型号 |
| 型号： ZDT751TA 品牌： 美台 封装： SM8 PNP 60V 2A 2750mW | 功能相似 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Dual 60V PNP | ZDT751TC和ZDT751TA的区别 |