ZXTD3M832TA
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
ZXTD3M832TA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -3.00 A
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 60 @1.5A, 2V
额定功率Max 1.7 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 VDFN-8
外形尺寸
封装 VDFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ZXTD3M832TA引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| ZXTD3M832TA | Vishay Semiconductor 威世 | Trans GP BJT PNP 40V 3A 8Pin MLP T/R Trans GP BJT PNP 40V 3A 8Pin MLP T/R Trans GP BJT PNP 40V 3A 8Pin MLP T/R | 搜索库存 |