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ZDT6757TC
Vishay Semiconductor 威世 分立器件
ZDT6757TC中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 2.75 W

增益频宽积 30 MHz

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 50 @100mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 50

额定功率Max 2.75 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223-8

外形尺寸

封装 SOT-223-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ZDT6757TC引脚图与封装图
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ZDT6757TC Vishay Semiconductor 威世 Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 300V 搜索库存