ZXTD09N50DE6TC
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
ZXTD09N50DE6TC中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V
额定功率Max 1.1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-6
外形尺寸
封装 SOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ZXTD09N50DE6TC引脚图与封装图
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在线购买ZXTD09N50DE6TC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZXTD09N50DE6TC | Vishay Semiconductor 威世 | TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6 | 搜索库存 |
替代型号ZXTD09N50DE6TC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZXTD09N50DE6TC 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOT-23-6 NPN | 当前型号 | TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6 | 当前型号 |
| 型号： ZXTD09N50DE6TA 品牌： 美台 封装： SOT-23-6 NPN 50V 2A 1700mW | 类似代替 | ZXTD09N50DE6 系列 50V 1 A 双 NPN 硅 低饱和 晶体管 -SOT-23-6 | ZXTD09N50DE6TC和ZXTD09N50DE6TA的区别 |