ZXTS1000E6TC
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
ZXTS1000E6TC中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 1.25A
最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V
额定功率Max 885 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-6
外形尺寸
封装 SOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
ZXTS1000E6TC引脚图与封装图
暂无图片
在线购买ZXTS1000E6TC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZXTS1000E6TC | Vishay Semiconductor 威世 | TRANS PNP 12V 1.25A SOT23-6 | 搜索库存 |
替代型号ZXTS1000E6TC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZXTS1000E6TC 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOT-23-6 PNP | 当前型号 | TRANS PNP 12V 1.25A SOT23-6 | 当前型号 |
| 型号： ZXTS1000E6TA 品牌： 捷特科 封装： | 类似代替 | TRANS PNP 12V 1.25A SOT23-6 | ZXTS1000E6TC和ZXTS1000E6TA的区别 |