ZL88702LDG1
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
电子元器件分类
电路数 1
耗散功率 2100 mW
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2100 mW
电源电压 3.135V ~ 3.465V
安装方式 Surface Mount
引脚数 64
封装 VFQFN-64
封装 VFQFN-64
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ZL88702LDG1 | Microsemi 美高森美 | Dual Channel Tracking Battery Wideband Voiceport Device 2100mW Serial Interface 64Pin QFN EP Tray | 搜索库存 |