ZXGD3111N8TC
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Vishay Semiconductor
威世
主动器件
供电电流 200 µA
耗散功率 785 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -50 ℃
耗散功率Max 785 mW
电源电压 4V ~ 20V
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
封装 SO-8
工作温度 -50℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ZXGD3111N8TC | Vishay Semiconductor 威世 | 200V ACTIVE OR-ING MOSFET CONTROLLER IN SO8 | 搜索库存 |