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ZM4747A-GS08

ZM4747A-GS08

数据手册.pdf

1W,ZM47xxA 系列,Vishay Semiconductor硅平面齐纳二极管(电源) 适用于稳定和削波电路的应用,带有高额定功率 标准齐纳电压容差为 ±5% 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor

Zener Diode 20V 1W ±5% Surface Mount DO-213AB


得捷:
DIODE ZENER 20V 1W DO213AB


欧时:
### 齐纳二极管 1W,ZM47xxA 系列,Vishay SemiconductorThe **ZM47xxA** series of 1W silicon planar zener diodes are AEC-Q101 qualified for automotive use.硅平面齐纳二极管(电源) 适用于稳定和削波电路的应用,带有高额定功率 标准齐纳电压容差为 ±5% 符合 AEC-Q101 ### 认可AEC-Q101### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor


贸泽:
稳压二极管 20 Volt 1 Watt 5%


艾睿:
Diode Zener Single 20V 5% 1W Automotive 2-Pin MELF T/R


Allied Electronics:
ZM4747A-GS08 Zener Diode, 20V 5% 1000 mW SMT 2-Pin DO-213AB


安富利:
Diode Zener Single 20V 5% 1W 2-Pin MELF T/R


富昌:
ZM4747A 系列 20 V 5 uA 1 W 表面贴装 齐纳二极管 - DO213AB


Chip1Stop:
Diode Zener Single 20V 5% 1W 2-Pin MELF T/R


Verical:
Diode Zener Single 20V 5% 1W Automotive 2-Pin MELF T/R


Newark:
# VISHAY  ZM4747A-GS08  Zener Single Diode, 20 V, 1 W, DO-213AB, 5 %, 2 Pins, 175 °C


ZM4747A-GS08中文资料参数规格
技术参数

容差 ±5 %

击穿电压 20.0 V

耗散功率 1 W

测试电流 12.5 mA

稳压值 20 V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-213AB-2

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 2.6 mm

高度 2.6 mm

封装 DO-213AB-2

物理参数

工作温度 175 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ZM4747A-GS08引脚图与封装图
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在线购买ZM4747A-GS08
型号 制造商 描述 购买
ZM4747A-GS08 Vishay Semiconductor 威世 1W,ZM47xxA 系列,Vishay Semiconductor 硅平面齐纳二极管(电源) 适用于稳定和削波电路的应用,带有高额定功率 标准齐纳电压容差为 ±5% 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor 搜索库存
替代型号ZM4747A-GS08
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ZM4747A-GS08

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-41 20V

当前型号

1W,ZM47xxA 系列,Vishay Semiconductor硅平面齐纳二极管(电源) 适用于稳定和削波电路的应用,带有高额定功率 标准齐纳电压容差为 ±5% 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor

当前型号

型号: ZM4747A-GS18

品牌: 威世

封装: DO-213

完全替代

稳压二极管 20 Volt 1 Watt 5%

ZM4747A-GS08和ZM4747A-GS18的区别

型号: ZMY20-GS08

品牌: 威世

封装: DO-213AB

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型号: ZMY20-GS18

品牌: 威世

封装: DO-213AB

类似代替

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ZM4747A-GS08和ZMY20-GS18的区别