
容差 ±5 %
耗散功率 1 W
测试电流 28 mA
稳压值 9.1 V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 175 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
封装 DO-213AB-2
长度 5.2 mm
宽度 2.6 mm
高度 2.6 mm
封装 DO-213AB-2
工作温度 -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ZM4739A-GS18 | Vishay Semiconductor 威世 | ZM4739A 系列 1 W 9.1 V 5 % 容差 齐纳二极管 - MELF 玻璃外壳 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ZM4739A-GS18 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DO-213AB | 当前型号 | ZM4739A 系列 1 W 9.1 V 5 % 容差 齐纳二极管 - MELF 玻璃外壳 | 当前型号 | |
型号: ZM4739A-GS08 品牌: 威世 封装: DO-41 9.1V | 功能相似 | 1W,ZM47xxA 系列,Vishay Semiconductor硅平面齐纳二极管(电源) 适用于稳定和削波电路的应用,带有高额定功率 标准齐纳电压容差为 ±5% 符合 AEC-Q101 | ZM4739A-GS18和ZM4739A-GS08的区别 | |
型号: ZMY9.1G 品牌: Diotec Semiconductor 封装: | 功能相似 | MELF 9.05V 1W | ZM4739A-GS18和ZMY9.1G的区别 | |
型号: ZMY9V1-GS08 品牌: 威世 封装: DO-213 | 功能相似 | 1W,ZMY 系列,Vishay Semiconductor硅平面齐纳二极管(电源) 适用于稳定和削波电路的应用,带有高额定功率 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor | ZM4739A-GS18和ZMY9V1-GS08的区别 |