ZM4755A-GS08中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
击穿电压 43.0 V
耗散功率 1000 mW
测试电流 6 mA
稳压值 43 V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-213AB
外形尺寸
长度 5.2 mm
封装 DO-213AB
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ZM4755A-GS08引脚图与封装图
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在线购买ZM4755A-GS08
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZM4755A-GS08 | Vishay Semiconductor 威世 | 1W，ZM47xxA 系列，Vishay Semiconductor 硅平面齐纳二极管（电源） 适用于稳定和削波电路的应用，带有高额定功率 标准齐纳电压容差为 ±5% 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号ZM4755A-GS08
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZM4755A-GS08 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-213AB 43V | 当前型号 | 1W，ZM47xxA 系列，Vishay Semiconductor硅平面齐纳二极管（电源） 适用于稳定和削波电路的应用，带有高额定功率 标准齐纳电压容差为 ±5% 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： ZM4755A-GS18 品牌： 威世 封装： DO-213AB | 完全替代 | Diode Zener Single 43V 5% 1W 2Pin MELF T/R | ZM4755A-GS08和ZM4755A-GS18的区别 |
| 型号： ZMY43-GS08 品牌： 威世 封装： DO-213 | 类似代替 | 1W，ZMY 系列，Vishay Semiconductor硅平面齐纳二极管（电源） 适用于稳定和削波电路的应用，带有高额定功率 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor | ZM4755A-GS08和ZMY43-GS08的区别 |
| 型号： ZMY43 品牌： Diotec Semiconductor 封装： | 功能相似 | Diode: Zener; 1.3W; 43V; 28mA; SMD; reel, tape; MELF | ZM4755A-GS08和ZMY43的区别 |