ZTX749A_J05Z
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
极性 PNP
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 35 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 4.7 mm
宽度 3.93 mm
高度 7.87 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ZTX749A_J05Z | Fairchild 飞兆/仙童 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 35V PNP Transistor Low Saturation | 搜索库存 |