针脚数 3
漏源极电阻 0.14 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.9 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 3.80 A
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
封装 SOT-223
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Aerospace, 国防, Power Management, Military, 军用与航空, Defence, 电源管理, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
军工级 Yes
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ZXMN6A11G | Vishay Semiconductor 威世 | DIODES INC. ZXMN6A11G 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 60 V, 140 mohm, 10 V, 1 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ZXMN6A11G 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: SOT-223 N-Channel 60V 3.8A | 当前型号 | DIODES INC. ZXMN6A11G 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 60 V, 140 mohm, 10 V, 1 V | 当前型号 | |
型号: BSP318S 品牌: 英飞凌 封装: SOT-223/SC-73/TO261-4 N-Channel 60V 2.6A | 功能相似 | Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET | ZXMN6A11G和BSP318S的区别 |