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ZXMN10A07F

ZXMN10A07F

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Vishay Semiconductor 威世 分立器件

DIODES INC.  ZXMN10A07F  晶体管, MOSFET, N沟道, 640 mA, 100 V, 1 ohm, 10 V, 4 V

The is a N-channel enhancement-mode MOSFET from Zetex utilizes unique structure that combines the benefits of low ON-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency and low voltage applications.

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Low threshold
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Low gate drive

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 0.8A 3-Pin SOT-23


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; 625mW; SOT23


Newark:
# DIODES INC.  ZXMN10A07F  MOSFET Transistor, N Channel, 640 mA, 100 V, 1 ohm, 10 V, 4 V


ZXMN10A07F中文资料参数规格
技术参数

额定功率 625 mW

针脚数 3

漏源极电阻 1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 625 mW

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 640 mA

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Industrial, Motor Drive & Control, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

ZXMN10A07F引脚图与封装图
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