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YNA21B2A0G106M

YNA21B2A0G106M

数据手册.pdf
TDK(东电化) 被动器件

CAP CER 10uF 4V X5R 0805

10µF ±20% 4V Ceramic Capacitor X5R 0805 2012 Metric


得捷:
CAP CER 10UF 4V X5R 0805


艾睿:
EMI Filter Noise Suppression 4VDC Flat Style SMD T/R


安富利:
CAP 10UF 4VDC X5R 20% SMD CERD2A


YNA21B2A0G106M中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 4.00 V

电容 10.0 µF

容差 ±20 %

电介质特性 X5R

额定电压 4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

YNA21B2A0G106M引脚图与封装图
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在线购买YNA21B2A0G106M
型号 制造商 描述 购买
YNA21B2A0G106M TDK 东电化 CAP CER 10uF 4V X5R 0805 搜索库存
替代型号YNA21B2A0G106M
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: YNA21B2A0G106M

品牌: TDK 东电化

封装: 0805 10uF 4V 20per

当前型号

CAP CER 10uF 4V X5R 0805

当前型号

型号: CL21A106MPFNNNE

品牌: 三星

封装: 0805 10µF 10V ±20%

功能相似

CL21 系列 0805 10 uF 20 % X5R SMD 多层陶瓷电容

YNA21B2A0G106M和CL21A106MPFNNNE的区别

型号: GRM219R60J106ME19J

品牌: 村田

封装: 0805 10uF 20per 6.3V X5R

功能相似

多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 10uF 6.3Volts 20%

YNA21B2A0G106M和GRM219R60J106ME19J的区别