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XLH536019.660800I

XLH536019.660800I

数据手册.pdf
Integrated Device Technology 艾迪悌 被动器件
XLH536019.660800I中文资料参数规格
技术参数

频率 19.6608 MHz

频率稳定度 ±25 ppm

负载电容 15 pF

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-4

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 3.2 mm

高度 1.1 mm

封装 SMD-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

XLH536019.660800I引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
XLH536019.660800I Integrated Device Technology 艾迪悌 标准时钟振荡器 19.6608 MHz, HCMOS 3.3V, 25 ppm 搜索库存
替代型号XLH536019.660800I
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: XLH536019.660800I

品牌: Integrated Device Technology 艾迪悌

封装:

当前型号

标准时钟振荡器 19.6608 MHz, HCMOS 3.3V, 25 ppm

当前型号

型号: FXO-HC536-19.6608

品牌: 艾迪悌

封装:

完全替代

Osc Xo 19.6608MHz Hcmos SMD

XLH536019.660800I和FXO-HC536-19.6608的区别

型号: FXO-HC530-19.6608

品牌: 艾迪悌

封装:

类似代替

Osc Xo 19.6608MHz Hcmos SMD

XLH536019.660800I和FXO-HC530-19.6608的区别

型号: XLH535019.660800X

品牌: 艾迪悌

封装:

类似代替

Crystal Oscillator SMD XL Series HCMOS 5.0x3.2mm 3.3VDC ±5% ±100ppm 10MHz -40℃~+85℃

XLH536019.660800I和XLH535019.660800X的区别