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XC18V256SO20I

XC18V256SO20I

数据手册.pdf
Xilinx(赛灵思) 主动器件
XC18V256SO20I中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

内存容量 256000 B

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 20

封装 SOIC-20

外形尺寸

封装 SOIC-20

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

XC18V256SO20I引脚图与封装图
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在线购买XC18V256SO20I
型号 制造商 描述 购买
XC18V256SO20I Xilinx 赛灵思 PROM Parallel/Serial 256Kbit 3.3V 20Pin SOIC 搜索库存
替代型号XC18V256SO20I
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: XC18V256SO20I

品牌: Xilinx 赛灵思

封装: SOIC 256000B 3.3V 20Pin

当前型号

PROM Parallel/Serial 256Kbit 3.3V 20Pin SOIC

当前型号

型号: XC18V256SO20C

品牌: 赛灵思

封装: SOIC 256000B 3.3V 20Pin

完全替代

PROM Parallel/Serial 256Kbit 3.3V 20Pin SOIC

XC18V256SO20I和XC18V256SO20C的区别