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XP151A11B0MR-G

XP151A11B0MR-G

数据手册.pdf

功率MOSFET Power MOSFET

N-Channel 30V 1A Ta 500mW Ta Surface Mount SOT-23


得捷:
MOSFET N-CH 30V 1A SOT23


立创商城:
N沟道 30V 1A


贸泽:
MOSFET


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 1A SOT23


XP151A11B0MR-G中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 170 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 500 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 1A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 150pF @10VVds

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

XP151A11B0MR-G引脚图与封装图
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