
额定电流 100 mA
极性 NPN+PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
封装 TSSOP-6
封装 TSSOP-6
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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XP0431300L | Panasonic 松下 | SMini6-G1 NPN+PNP 50V 100mA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: XP0431300L 品牌: Panasonic 松下 封装: 6-TSSOP NPN PNP 100mA | 当前型号 | SMini6-G1 NPN+PNP 50V 100mA | 当前型号 | |
型号: PUMD12,115 品牌: 恩智浦 封装: SOT-363 NPN 0.3W | 功能相似 | NXP PUMD12,115 双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 80 hFE, SOT-363 | XP0431300L和PUMD12,115的区别 | |
型号: NSB4904DW1T1G 品牌: 安森美 封装: 6-TSSOP NPN PNP 385mW | 功能相似 | 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors | XP0431300L和NSB4904DW1T1G的区别 |