XTHI12BF860
数据手册.pdf(SunLED)
电子元器件分类
XTHI12BF860中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.35 V
波长 860 nm
视角 20°
正向电流 50 mA
正向电流Max 50 mA
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 Radial
外形尺寸
封装 Radial
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
XTHI12BF860引脚图与封装图
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| XTHI12BF860 | SunLED | Through-Hole Infrared Emitting Diode with 860nm peak emitting wavelength and Blue Transparent Round Lamp | 搜索库存 |