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W9825G6EH-6

W9825G6EH-6

数据手册.pdf

DDR DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.4INCH, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54

SDRAM Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II


Win Source:
4 M × 4 BANKS × 16 BITS SDRAM


W9825G6EH-6中文资料参数规格
技术参数

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

封装 TSOP-54

外形尺寸

封装 TSOP-54

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

W9825G6EH-6引脚图与封装图
W9825G6EH-6引脚图

W9825G6EH-6引脚图

W9825G6EH-6封装图

W9825G6EH-6封装图

W9825G6EH-6封装焊盘图

W9825G6EH-6封装焊盘图

在线购买W9825G6EH-6
型号 制造商 描述 购买
W9825G6EH-6 Winbond Electronics 华邦电子股份 DDR DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.4INCH, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54 搜索库存
替代型号W9825G6EH-6
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: W9825G6EH-6

品牌: Winbond Electronics 华邦电子股份

封装: TSOP2

当前型号

DDR DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.4INCH, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54

当前型号

型号: W9825G6JH-6

品牌: 华邦电子股份

封装:

完全替代

Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.4INCH, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54

W9825G6EH-6和W9825G6JH-6的区别

型号: W9825G6JH-6I

品牌: 华邦电子股份

封装: TSOPII

完全替代

Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.4INCH, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54

W9825G6EH-6和W9825G6JH-6I的区别

型号: NT5SV16M16CS-6K

品牌: 南亚

封装:

功能相似

PROGRAMMABLE BURST LENGTH: 1, 2, 4, 8 ,256Mb SYNCHRONOUS DRAM

W9825G6EH-6和NT5SV16M16CS-6K的区别