电源电压 3V ~ 3.6V
封装 TSOP-54
封装 TSOP-54
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tray
RoHS标准
含铅标准 无铅
W9825G6EH-6引脚图
W9825G6EH-6封装图
W9825G6EH-6封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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W9825G6EH-6 | Winbond Electronics 华邦电子股份 | DDR DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.4INCH, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: W9825G6EH-6 品牌: Winbond Electronics 华邦电子股份 封装: TSOP2 | 当前型号 | DDR DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.4INCH, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54 | 当前型号 | |
型号: W9825G6JH-6 品牌: 华邦电子股份 封装: | 完全替代 | Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.4INCH, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54 | W9825G6EH-6和W9825G6JH-6的区别 | |
型号: W9825G6JH-6I 品牌: 华邦电子股份 封装: TSOPII | 完全替代 | Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.4INCH, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54 | W9825G6EH-6和W9825G6JH-6I的区别 | |
型号: NT5SV16M16CS-6K 品牌: 南亚 封装: | 功能相似 | PROGRAMMABLE BURST LENGTH: 1, 2, 4, 8 ,256Mb SYNCHRONOUS DRAM | W9825G6EH-6和NT5SV16M16CS-6K的区别 |