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W3H32M72E-533SB2I

W3H32M72E-533SB2I

数据手册.pdf
Microsemi 美高森美 电子元器件分类
W3H32M72E-533SB2I中文资料参数规格
技术参数

存取时间Max 0.65 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

引脚数 208

封装 BGA

外形尺寸

高度 3.08 mm

封装 BGA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

W3H32M72E-533SB2I引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
W3H32M72E-533SB2I Microsemi 美高森美 DRAM Memory 搜索库存
替代型号W3H32M72E-533SB2I
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: W3H32M72E-533SB2I

品牌: Microsemi 美高森美

封装:

当前型号

DRAM Memory

当前型号

型号: W332M72V-133SBI

品牌: 美高森美

封装:

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W3H32M72E-533SB2I和W332M72V-133SBI的区别

型号: W3E32M72S-266SBI

品牌: Mercury Systems

封装:

功能相似

DRAM Module DDR SDRAM 256Mbyte

W3H32M72E-533SB2I和W3E32M72S-266SBI的区别

型号: 175E

品牌: Micross

封装:

功能相似

DDR DRAM, 32MX72, 0.75ns, CMOS, PBGA208, 16 X 23 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-208

W3H32M72E-533SB2I和175E的区别