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W971GG8JB25I

W971GG8JB25I

数据手册.pdf

DDR DRAM, 128MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60

SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb(128M x 8) 并联 200 MHz 400 ps 60-WBGA(8x12.5)


得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60-Pin WBGA


W971GG8JB25I中文资料参数规格
技术参数

位数 8

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

引脚数 60

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

W971GG8JB25I引脚图与封装图
W971GG8JB25I引脚图

W971GG8JB25I引脚图

W971GG8JB25I封装图

W971GG8JB25I封装图

在线购买W971GG8JB25I
型号 制造商 描述 购买
W971GG8JB25I Winbond Electronics 华邦电子股份 DDR DRAM, 128MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: W971GG8JB25I

品牌: Winbond Electronics 华邦电子股份

封装:

当前型号

DDR DRAM, 128MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60

当前型号

型号: W971GG8SB25I

品牌: 华邦电子股份

封装: WBGA

完全替代

DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-60

W971GG8JB25I和W971GG8SB25I的区别