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W989D2DBJX6I

W989D2DBJX6I

数据手册.pdf

512M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp, 46nm

SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 512Mb 16M x 32 Parallel 166MHz 5ns 90-VFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA


艾睿:
DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA


W989D2DBJX6I中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间Max 5ns, 6ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

W989D2DBJX6I引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
W989D2DBJX6I Winbond Electronics 华邦电子股份 512M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp, 46nm 搜索库存