W949D2DBJX5I

Winbond Electronics(华邦电子股份) 电子元器件分类

DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90Pin VFBGA

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb 16M x 32 Parallel 200MHz 5ns 90-VFBGA 8x13

欧时:
Winbond, W949D2DBJX5I

得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA

艾睿:
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V Automotive 90-Pin VFBGA

Verical:
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA

W949D2DBJX5I中文资料参数规格

技术参数

供电电流 75 mA

时钟频率 200 MHz

位数 32

存取时间 5 ns

存取时间Max 5ns, 6.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

W949D2DBJX5I引脚图与封装图

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