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W989D6DBGX6I

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数据手册.pdf

DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 54Pin VFBGA

SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 512Mb 32M x 16 Parallel 166MHz 5ns 54-VFBGA 8x9


得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 54VFBGA


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W989D6DBGX6I中文资料参数规格
技术参数

供电电流 75 mA

位数 16

存取时间Max 5ns, 6ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

引脚数 54

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

W989D6DBGX6I引脚图与封装图
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W989D6DBGX6I Winbond Electronics 华邦电子股份 DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 54Pin VFBGA 搜索库存