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W948D6FBHX5I

W948D6FBHX5I

数据手册.pdf

DDR DRAM, 8MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 9MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-60

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 200MHz 5ns 60-VFBGA 8x9


得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60VFBGA


艾睿:
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 1.8V 60-Pin VFBGA


Verical:
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin VFBGA


W948D6FBHX5I中文资料参数规格
技术参数

供电电流 55 mA

时钟频率 200 MHz

位数 16

存取时间 5 ns

存取时间Max 5ns, 6.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

W948D6FBHX5I引脚图与封装图
W948D6FBHX5I引脚图

W948D6FBHX5I引脚图

W948D6FBHX5I封装图

W948D6FBHX5I封装图

W948D6FBHX5I封装焊盘图

W948D6FBHX5I封装焊盘图

在线购买W948D6FBHX5I
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W948D6FBHX5I Winbond Electronics 华邦电子股份 DDR DRAM, 8MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 9MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-60 搜索库存