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W631GU6KB-12

W631GU6KB-12

数据手册.pdf

1G DDR3L SDRAM 1.35V X16 800MHz

SDRAM - DDR3L Memory IC 1Gb 64M x 16 Parallel 800MHz 20ns 96-WBGA 9x13


得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR3L SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.35V 96-Pin WBGA


Verical:
DRAM Chip DDR3L SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.35V 96-Pin WBGA


Win Source:
IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA


W631GU6KB-12中文资料参数规格
技术参数

供电电流 280 mA

位数 16

存取时间Max 0.225 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.283V ~ 1.45V

封装参数

引脚数 96

封装 TFBGA-96

外形尺寸

封装 TFBGA-96

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

W631GU6KB-12引脚图与封装图
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在线购买W631GU6KB-12
型号 制造商 描述 购买
W631GU6KB-12 Winbond Electronics 华邦电子股份 1G DDR3L SDRAM 1.35V X16 800MHz 搜索库存
替代型号W631GU6KB-12
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: W631GU6KB-12

品牌: Winbond Electronics 华邦电子股份

封装: 96-TFBGA

当前型号

1G DDR3L SDRAM 1.35V X16 800MHz

当前型号

型号: W631GU6KB-15

品牌: 华邦电子股份

封装: 96-TFBGA

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型号: W631GU6KB12I

品牌: 华邦电子股份

封装: 96-TFBGA

类似代替

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型号: W631GU6KB15I

品牌: 华邦电子股份

封装: 96-TFBGA

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