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W987D2HBJX7E TR

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数据手册.pdf

DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128Mbit 4Mx32 1.8V 90Pin VFBGA

SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb 并联 133 MHz 5.4 ns 90-VFBGA(8x13)


得捷:
IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 90BGA


艾睿:
DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128Mbit 4Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA


W987D2HBJX7E TR中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间Max 8ns, 5.4ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -25 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Not For New Designs

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

W987D2HBJX7E TR引脚图与封装图
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W987D2HBJX7E TR Winbond Electronics 华邦电子股份 DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128Mbit 4Mx32 1.8V 90Pin VFBGA 搜索库存