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W631GG8KB-12

W631GG8KB-12

数据手册.pdf

DDR DRAM, 128MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10.5MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-78

SDRAM - DDR3 Memory IC 1Gb 128M x 8 Parallel 800MHz 20ns 78-WBGA 10.5x8


得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.5V 78-Pin WBGA


Verical:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.5V 78-Pin WBGA


W631GG8KB-12中文资料参数规格
技术参数

供电电流 250 mA

位数 8

存取时间Max 0.225 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.425V ~ 1.575V

封装参数

引脚数 78

封装 TFBGA-78

外形尺寸

封装 TFBGA-78

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

W631GG8KB-12引脚图与封装图
W631GG8KB-12引脚图

W631GG8KB-12引脚图

W631GG8KB-12封装图

W631GG8KB-12封装图

W631GG8KB-12封装焊盘图

W631GG8KB-12封装焊盘图

在线购买W631GG8KB-12
型号 制造商 描述 购买
W631GG8KB-12 Winbond Electronics 华邦电子股份 DDR DRAM, 128MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10.5MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-78 搜索库存
替代型号W631GG8KB-12
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: W631GG8KB-12

品牌: Winbond Electronics 华邦电子股份

封装: 78-TFBGA

当前型号

DDR DRAM, 128MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10.5MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-78

当前型号

型号: W631GG8KB-11

品牌: 华邦电子股份

封装: 78-TFBGA

类似代替

IC SDRAM 1GBIT 933MHz 78BGA

W631GG8KB-12和W631GG8KB-11的区别

型号: W631GG8KB-15

品牌: 华邦电子股份

封装: 78-TFBGA

类似代替

DDR DRAM, 128MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10.5MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-78

W631GG8KB-12和W631GG8KB-15的区别

型号: W631GG8KB15I

品牌: 华邦电子股份

封装: TFBGA

类似代替

IC SDRAM 1GBIT 667MHz 78BGA

W631GG8KB-12和W631GG8KB15I的区别