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W947D2HBJX6E TR

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数据手册.pdf

DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 128Mbit 4Mx32 1.8V 90Pin VFBGA

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb 4M x 32 Parallel 166MHz 5ns 90-VFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA


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艾睿:
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 128Mbit 4Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA


W947D2HBJX6E TR中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间Max 5ns, 6.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -25 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

W947D2HBJX6E TR引脚图与封装图
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W947D2HBJX6E TR Winbond Electronics 华邦电子股份 DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 128Mbit 4Mx32 1.8V 90Pin VFBGA 搜索库存