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W971GG6SB-25

W971GG6SB-25

数据手册.pdf

1-Gbit64M x 16bit,工作电压:1.8V±0.1V

SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb 64M x 16 Parallel 200MHz 400ps 84-WBGA 8x12.5


得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA


立创商城:
W971GG6SB-25 停产


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V Automotive 84-Pin WBGA


Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin WBGA


W971GG6SB-25中文资料参数规格
技术参数

工作电压 1.7V ~ 1.9V

供电电流 130 mA

位数 16

存取时间 400 ps

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 TFBGA-84

外形尺寸

封装 TFBGA-84

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

W971GG6SB-25引脚图与封装图
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在线购买W971GG6SB-25
型号 制造商 描述 购买
W971GG6SB-25 Winbond Electronics 华邦电子股份 1-Gbit64M x 16bit,工作电压:1.8V±0.1V 搜索库存
替代型号W971GG6SB-25
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: W971GG6SB-25

品牌: Winbond Electronics 华邦电子股份

封装: 84-TFBGA

当前型号

1-Gbit64M x 16bit,工作电压:1.8V±0.1V

当前型号

型号: W971GG6SB-25 TR

品牌: 华邦电子股份

封装: 84-TFBGA

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