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W987D2HBJX6E

W987D2HBJX6E

数据手册.pdf

Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE, VFBGA-90

SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb 4M x 32 Parallel 166MHz 5.4ns 90-VFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA


艾睿:
DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128Mbit 4Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA


W987D2HBJX6E中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间Max 6ns, 5.4ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -25 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

W987D2HBJX6E引脚图与封装图
W987D2HBJX6E引脚图

W987D2HBJX6E引脚图

W987D2HBJX6E封装图

W987D2HBJX6E封装图

W987D2HBJX6E封装焊盘图

W987D2HBJX6E封装焊盘图

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W987D2HBJX6E Winbond Electronics 华邦电子股份 Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE, VFBGA-90 搜索库存