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VB30200C-E3/8W

VB30200C-E3/8W

数据手册.pdf
VISHAY(威世) 分立器件

双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.526 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A

Diode Schottky 200V 30A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R


立创商城:
200V 15A 1.1V@15A


艾睿:
If your circuit needs to adjust from an AC to DC voltage use a Schottky diode VB30200C-E3/8W rectifier from Vishay. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. Its peak non-repetitive surge current is 250 A, while its maximum continuous forward current is 30 A. It is made in a dual common cathode configuration. This rectifier has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Diode Schottky 200V 30A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R


Verical:
Rectifier Diode Schottky 200V 30A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R


VB30200C-E3/8W中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.1 V

最大反向电压(Vrrm) 200 V

正向电流 30000 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 250 A

正向电流Max 30000 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 800

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

VB30200C-E3/8W引脚图与封装图
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VB30200C-E3/8W VISHAY 威世 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.526 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A 搜索库存