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VLS252010HBU-6R8M

VLS252010HBU-6R8M

数据手册.pdf
TDK(东电化) 被动器件

功率电感SMD, 6.8 µH, 800 mA, 屏蔽, 1.7 A, VLS-HBU Series, 2.5mm x 2mm x 1mm

屏蔽 绕线 器 540 毫欧最大 非标准


得捷:
FIXED IND 6.8UH 720MA 540MOHM SM


立创商城:
6.8uH ±20% 800mA 450mΩ


e络盟:
功率电感SMD, 6.8 µH, 800 mA, 屏蔽, 1.7 A, VLS-HBU Series, 2.5mm x 2mm x 1mm


艾睿:
Inductor Power Shielded Wirewound 6.8uH 20% 1MHz Metal 0.72A 0.54Ohm DCR 1008 T/R


Verical:
Inductor Power Shielded Wirewound 6.8uH 20% 1MHz Metal 0.72A 0.54Ohm DCR 1008 T/R


VLS252010HBU-6R8M中文资料参数规格
技术参数

额定电流 720 mA

容差 ±20 %

电感 6.8 µH

电感公差 ±20 %

测试频率 1 MHz

电阻DC) 0.54 Ω

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min -40 ℃

电阻DC Max 0.54 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1008

外形尺寸

宽度 2.00 mm

高度 1 mm

封装 1008

物理参数

重量 0.026 g

工作温度 -40℃ ~ 105℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Commercial Grade

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

VLS252010HBU-6R8M引脚图与封装图
VLS252010HBU-6R8M引脚图

VLS252010HBU-6R8M引脚图

在线购买VLS252010HBU-6R8M
型号 制造商 描述 购买
VLS252010HBU-6R8M TDK 东电化 功率电感SMD, 6.8 µH, 800 mA, 屏蔽, 1.7 A, VLS-HBU Series, 2.5mm x 2mm x 1mm 搜索库存