V12P10-E3/86A中文资料参数规格
技术参数
正向电压 700mV @12A
正向电流 12 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 200 A
正向电压Max 700mV @12A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-277
外形尺寸
长度 6.15 mm
宽度 4.75 mm
高度 1.2 mm
封装 TO-277
物理参数
工作温度 40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
V12P10-E3/86A引脚图与封装图
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在线购买V12P10-E3/86A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| V12P10-E3/86A | Vishay Semiconductor 威世 | 高电流密度表面贴装Trench MOS势垒肖特基整流器 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | 搜索库存 |
替代型号V12P10-E3/86A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： V12P10-E3/86A 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SMPC | 当前型号 | 高电流密度表面贴装Trench MOS势垒肖特基整流器 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | 当前型号 |
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| 型号： V12P10HM3/86A 品牌： 威世 封装： TO-277 | 类似代替 | 高电流密度表面贴装Trench MOS势垒肖特基整流器 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | V12P10-E3/86A和V12P10HM3/86A的区别 |
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