VS-GA100NA60UP中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 7.4nF @30V
额定功率Max 250 W
封装参数
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VS-GA100NA60UP引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| VS-GA100NA60UP | Vishay Semiconductor 威世 | IGBT 600V 100A 250W SOT-227 | 搜索库存 |