VP0109N3
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Supertex
超科
分立器件
VP0109N3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 8.00 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.00 W
漏源极电压Vds 90 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92
外形尺寸
封装 TO-92
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
VP0109N3引脚图与封装图
暂无图片
替代型号VP0109N3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VP0109N3 品牌： Supertex 超科 封装： TO-92 P-Channel 8Ω | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 90V 0.25A 3Pin TO-92 | 当前型号 |
| 型号： VP0109N3-G 品牌： 超科 封装： TO-92 P-Channel 8Ω | 完全替代 | Trans MOSFET P-CH 90V 0.25A 3Pin TO-92 | VP0109N3和VP0109N3-G的区别 |
| 型号： VP0109ND 品牌： 微芯 封装： | 功能相似 | P-CH 60V 0.25A | VP0109N3和VP0109ND的区别 |
| 型号： P01 品牌： 超科 封装： | 功能相似 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A ID, 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, GREEN PACKAGE-3 | VP0109N3和P01的区别 |