VTP8651H

Excelitas 探测器

Photodiode; 725-1150nm; λp max: 925nm; 7.45mm²; 30nA; TH

Photodiode 925nm 50° 2-DIP

得捷:
SENSOR PHOTODIODE 925NM 2DIP

艾睿:
Photodiode Array 925nm 0.5A/W Sensitivity 2-Pin Mini-DIP

TME:
Photodiode; 725-1150nm; λp max:925nm; 7.45mm2; 30nA; THT

VTP8651H中文资料参数规格

技术参数

波长 925 nm

视角 50°

峰值波长 925 nm

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DIP-2

外形尺寸

封装 DIP-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

VTP8651H引脚图与封装图

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VTP8651H	Excelitas	Photodiode; 725-1150nm; λp max: 925nm; 7.45mm²; 30nA; TH	搜索库存