VQ1001P-E3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
主动器件
VQ1001P-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 110pF @15VVds
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DIP-14
外形尺寸
封装 DIP-14
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VQ1001P-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VQ1001P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | 搜索库存 |