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V8P10-M3/86A

V8P10-M3/86A

数据手册.pdf

TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor

The is a high current density surface mount trench MOS barrier Schottky Rectifier with matte tin-plated leads terminals and UL94V-0 flame-rated moulding compound case. Ideal for automated placement.

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Low forward voltage drop
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Low power losses
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High efficiency operation
V8P10-M3/86A中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

正向电压 0.62 V

正向电流 8 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 150 A

正向电压Max 680 mV

正向电流Max 8 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

工作结温Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-277-3

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 6.15 mm

高度 1.2 mm

封装 TO-277-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用 Power Management, 安全, Safety, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

V8P10-M3/86A引脚图与封装图
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在线购买V8P10-M3/86A
型号 制造商 描述 购买
V8P10-M3/86A Vishay Semiconductor 威世 TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 ### 特点 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor 搜索库存
替代型号V8P10-M3/86A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： V8P10-M3/86A

品牌： Vishay Semiconductor 威世

封装： TO

当前型号

TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor

当前型号

型号： V8P10HM3/87A

品牌： 威世

封装： TO-277

完全替代

高电流密度表面贴装Trench MOS势垒肖特基整流器 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

V8P10-M3/86A和V8P10HM3/87A的区别

型号： V8P10HM3/86A

品牌： 威世

封装： TO-277

类似代替

TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor

V8P10-M3/86A和V8P10HM3/86A的区别

型号： V8P10-M3/87A

品牌： 威世

封装： TO-277

功能相似

高电流密度表面贴装Trench MOS势垒肖特基整流器 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

V8P10-M3/86A和V8P10-M3/87A的区别