VT6T2T2R
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
VT6T2T2R中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SMD-6
外形尺寸
封装 SMD-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VT6T2T2R引脚图与封装图 
VT6T2T2R引脚图
VT6T2T2R封装图
VT6T2T2R封装焊盘图
替代型号VT6T2T2R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VT6T2T2R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： VMT PNP | 当前型号 | VMT PNP 50V 0.1A | 当前型号 |
| 型号： VT6Z2T2R 品牌： 罗姆半导体 封装： 6-SMD NPN PNP | 类似代替 | 双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 120 hFE, VMT | VT6T2T2R和VT6Z2T2R的区别 |
| 型号： VT6X12T2R 品牌： 罗姆半导体 封装： VMT NPN | 类似代替 | VMT NPN 50V 0.1A | VT6T2T2R和VT6X12T2R的区别 |
| 型号： VT6X2T2R 品牌： 罗姆半导体 封装： 6-SMD NPN | 功能相似 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.1A 6PIN | VT6T2T2R和VT6X2T2R的区别 |