VS-GT100TP120N中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 12.8nF @30V
额定功率Max 652 W
封装参数
安装方式 Chassis
封装 INT-A-PAK
外形尺寸
封装 INT-A-PAK
物理参数
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VS-GT100TP120N引脚图与封装图
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